场效应管FieldEffectTransistor什么是场效应管（FET），简称FET是一种三极管什么是场效应管jinnianhui金年会（FET）金年会客户端，也是一种半导体器件它什么是场效应管（FET）的基本原理是利用半导体材料中的电场控制电流的流动与双极型晶体管相比，场效应管具有输入电阻大电流增益高频率响应宽等优点，因此在电子电路中得到广泛应用一场效应管的基本原理 场效应管由栅极漏极和源极组成。

1场效应管FET是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，属于电压控制型半导体器件具有输入电阻高107～1015Ω噪声小功耗低动态范围大易于集成没有二次击穿现象安全工作区域宽等优点2场效应管工作原理就是“漏极源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道。

场效应管FET是一种电压掌握电流器件其特色是输出电阻高，噪声系数低，受温度和辐射影响小因此特殊运用于高敏锐度低噪声电路中 场效应管的品种许多，按构造可分为两大类结型场效应管JFET和绝缘栅型场效应管IGFET结型场效应管又分为N沟道和P沟道两种绝缘栅场效应管次要指金属。

场效应晶体管Field Effect Transistor缩写FET简称场效应管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管它属于电压控制型半导体器件具有输入电阻高10^8～10^9Ω噪声小功耗低动态范围大易于集成没有二次击穿现象安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞。

场效应晶体管Field Effect Transistor缩写FET简称场效应管主要有两种类型junction FETJFET和金属 氧化物半导体场效应管metaloxide semiconductor FET，简称MOSFET场效应管FET是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名由于它仅靠半导体中的多数。

场效应晶体管FET是利用电场效应控制电流的单极半导体器件它具有输入阻抗高噪声低热稳定性好制造工艺简单等特点它被应用于大规模和超大规模集成电路中场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”更正确地说。

场效应晶体管Field Effect Transistor缩写FET简称场效应管主要有两种类型结型场效应管junction FETJFET和金属 氧化物半导体场效应管metaloxide semiconductor FET，简称MOSFET由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管它属于电压控制型半导体器件具有输入电阻高107～1015Ω。

FET是统称，也就是场效应管，与平衡双极型晶体管三极管并列MOS管全称是MOSFETjinnianhui金年会，也就是金属绝缘栅型场效应管，是场效应管的一种。